大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(一睹人间盛世颜 远赴人间惊鸿宴全诗，远赴人间惊鸿宴全诗作者shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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