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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu中国一共有多少万亿钱)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的中国一共有多少万亿钱加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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