大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021闲游的意思 闲游的反义词是什么年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占闲游的意思 闲游的反义词是什么比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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