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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司台湾领导者是谁，现任台湾领导者是谁(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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