大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办豫n是河南哪里的车牌消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(豫n是河南哪里的车牌liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，豫n是河南哪里的车牌长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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