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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(很久没做了是不是会时间变短，为什么好久不做时间会变短chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(g很久没做了是不是会时间变短，为什么好久不做时间会变短òu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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