大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查<刚结婚是不是会天天做/strong>

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omd刚结婚是不是会天天做ia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。