大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安苏州市相城区邮编是多少全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(ch苏州市相城区邮编是多少ǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备苏州市相城区邮编是多少厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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