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　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售(什么春白雪是什么成语，什么春白雪是什么成语shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(s什么春白雪是什么成语，什么春白雪是什么成语hǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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