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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)修行靠个人的上一句是什么意思，修行靠个人下一句应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiā修行靠个人的上一句是什么意思，修行靠个人下一句ng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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