大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全也傍桑阴学种瓜中的傍是什么意思，也傍桑阴学种瓜的傍是什么意思句，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)也傍桑阴学种瓜中的傍是什么意思，也傍桑阴学种瓜的傍是什么意思句球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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