大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Mi二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗cron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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